檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "陳士勛".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="奈米線"
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利用熱蒸鍍法經由VLS成長機制在爐管內成長硒化鋅奈米線,以硒化鋅粉末作為前驅物置於管內,2、5及10奈米金薄膜的(100)矽基板做為成長基板,利用金顆粒作為成核催化點,使奈米線經由VLS成長機制生長…
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二氧化錫(SnO2)是一種知名的n-type半導體其應用範圍非常廣泛,而其奈米線(nanowires)由於擁有一維奈米材料的特殊性質非常適合進行研究,本實驗的二氧化錫奈米線是藉由熱蒸鍍法(therm…
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在此篇研究中,利用熱蒸鍍法經由VLS及VS成長機制在爐管內擺放鍍上金膜的矽基板上成長氧化鋅奈米線,而氧化鋅粉混合碳粉當作前驅物。藉由控制成長溫度、前驅物溫度、成長壓力、前驅物的量、成長時間、成長位置…
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本研究主要分別以2:3與1:1兩部份的銦硒系統探討。第一部份,以高均勻性金奈米粒子催化的In2Se3奈米線透過氣-液-固(VLS)機制的快速熱退火(RTA)處理成長。利用金奈米顆粒催化成長In2Se…